台積電遙遙領先！2奈米N2即將量產！萬眾矚目A16晶背供電技術獨家解析！ ※曲博官方Line群正式開張，歡迎大家加入，一起從討論中成長！ 加入連結 👉 https://ansforce.page.link/Drjline3 ※曲博頻道會員已開啟，想要加入的伙伴可以直接點選這個連結，一起讓科技成長茁壯！👉 https://ansforce.page.link/JoinYT ※曲博科技教室所有的影片可以在這裡直接用關鍵字搜尋👉 https://ansforce.page.link/Drjlist 訂閱我的Youtube頻道 ：https://goo.gl/zX7p6N 按讚粉絲專頁，掌握最新趨勢：https://goo.gl/8zfgi5 🏮【科技新未來 EP125】台積電持續領先N2製程即將量產：下一代A16製程晶背供電網路(BSPDN)細節搶先看！🏮 00:00 開場 | Introduction 02:10 台積電(TSMC)贏得鰭式場效電晶體(FinFET)戰役 04:05 晶背供應網路(BSPDN)的基礎知識 12:55 埋入式供電軌道(BPR：Buried Power Rail)在前段製程中使用金屬材料 15:22 電源金屬柱(PowerVia)在前段製程中完全跳過了電源軌道的沉積步驟 17:04 直接背面接點(DBC：Direct Backside Contacts)縮放效益最大 22:43 產品路線圖：Rapidus、三星、英特爾、台積電 33:08 結論 | Conclusion 【知識力專家社群】 https://www.ansforce.com 歡迎加入知識力官方Line https://bit.ly/ansforceline 【資料來源】 Dylan Patel and Jeff Koch發表在Semianalysis 晶圓代工大對決：環閘場效應晶體管(GAAFET)與晶背供電網路(BSPDN)技術在2奈米晶圓廠成本、靜態隨機存取記憶體(SRAM)縮放、晶圓廠製程設備影響、與背面供電細節方面 ——聚焦台積電、三星、英特爾、Rapidus Clash of the Foundries: Gate All Around + Backside Power at 2nm Fab Cost, SRAM Scaling, WFE Implications, Backside Power Details, TSMC, Samsung, Intel, Rapidus https://semianalysis.com/2024/10/01/clash-of-the-foundries/ 【免責聲明】本頻道內容僅供參考，雖已力求正確完整，但可能因時間及市場客觀因素改變所造成產業、市場、個股之相關條件改變，投資人需自行考量投資之實際狀況與風險承受度，並就投資結果自行負責，本公司不負擔任何法律責任及做任何保證。 #台積電 #2奈米 #A16 #晶背供電 #1.6奈米 #三星 #英特爾 #rapidus #先進製程 #N2 曲博科技教室 Dr. J Class 更多视频／文章……
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