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神預言!三星3奈米GAA大翻車,良率僅20%!還有可能超車台積電?

2022-11-26 05:00| 发布者: admin8| 查看: 35| 评论: 0|文章/视频分享来自: 曲博科技教室 Dr. J Class




神預言!三星3奈米GAA大翻車,良率僅20%!還有可能超車台積電?

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🏮【科技大哉問EP112】再次精準預言:三星的3奈米環繞閘極(GAA)製程良率僅20%如何解決?🏮

我之前就講過,GAA製程沒這麼簡單,現在傳出來啦,三星3奈米GAA良率只有20%!?原本想要逆勢超車台積電,儼然形成翻車現場,不過我認為三星也不用過度悲觀,現在這樣,不代表到了2奈米還是如此,這就是我以前講過的經驗法則,今天就來跟大家聊聊這個話題!


00:00 開場大綱 | Intro, Summary
01:23 什麼是環繞閘極場效電晶體(GAAFET)?
05:02 三星3奈米爆一致命要害找美大廠救命
05:57 為什麼環繞閘極(GAA)製程良率很難做高
07:15 美國Silicon Frontline Technology產品介紹
08:07 三星彎道超車台積電的機率有多高?

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【資料來源】
中時新聞網:慘輸台積電!三星3奈米爆一致命要害找美大廠救命
https://www.chinatimes.com/realtimenews/20221123003847-260410
Design Solutions for Preventing Process Induced ESD Damage during
Manufacturing of Interconnects
J. Ackaert and B. Greenwood, On semiconductor Belgium and USA
https://www.onsemi.com/site/pdf/icicdt2010_J_Ackaert.pdf
Silicon Frontline Technology公司網站
https://www.siliconfrontline.com/




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