三星與IBM突破1奈米限制！台積電壓力山大！？VTFET怎麼做到的？ ※曲博科技教室所有的影片可以在這裡直接用關鍵字搜尋👉 https://ansforce.page.link/Drjlist 🏮【科技新未來 EP48】台積電壓力大增：IBM與三星發表垂直傳輸場效電晶體(VTFET)突破1奈米製程瓶頸🏮 獻上近期粉絲們敲碗最多的IBM跟三星合作發表的1奈米新突破，會威脅到台積電嗎？垂直傳輸場效電晶體又是什麼？今天就讓曲博來跟你說明白！ 00:00 開場大綱 | Intro, Summary 01:31 先進製程使用的電晶體：MOSFET、FinFET、GAAFET 05:27 短通道效應 | Short channel effect 06:12 垂直傳輸場效電晶體(VTFET)的結構 | Vertical Transport Field Effect Transistor 14:06 台積電透過鉍金屬接觸突破1奈米製程極限 14:44 結論 | Conclusion 訂閱我的Youtube頻道：https://ansforce.page.link/DrjYT 按讚粉絲專頁，掌握最新趨勢：https://ansforce.page.link/DrjFB 【參考資料】 Mash Yang發表在COOL3C https://www.cool3c.com/article/169763 IBM News https://www.youtube.com/watch?v=OF3Zwfu6Ngc 【知識力專家社群】 https://www.ansforce.com 歡迎加入知識力官方Line https://bit.ly/ansforceline #三星 #IBM #1奈米 #VTFET #台積電 #TSMC #Samsung #短通道效應2 曲博科技教室 Dr. J Class 更多视频／文章……
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