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衝著台積電而來,三星電子絕地大反攻!3 奈米 GAA 製程公開挑戰台積電!

2021-3-20 04:15| 发布者: admin8| 查看: 35| 评论: 0|文章/视频分享来自: 曲博科技教室 Dr. J Class




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🏮【科技新未來EP10】三星電子絕地大反攻!3GAE製程公開挑戰台積電🏮

特斯拉告訴監管單位他們的自動駕駛不會超過 Level 2,創辦人馬斯克牛皮吹破 !?沒有光達就沒有全自駕,曲博帶你了解自動駕駛感測器

00:00 開場 | Introduction
01:01 三星 3 奈米 GAA 部分細節曝光 | Samsung 3nm GAAFET
01:54 環繞閘極場效電晶體、多橋通道場效電晶體 | GAAFET, MBCFET
09:26 英特爾、台積電、三星製程比較 | Comparison of Intel, TSMC and Samsung
11:13 邏輯閘的種類與特性 | Logic gate families
14:17 電晶體密度的估計方式 | How to estimate transistor density
17:13 三星的製程節點演進與名稱 | Samsung Advances in Technology Continues
19:37 結論 | Conclusion

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【參考網站】
https://finance.technews.tw/2021/03/15/samsung-demos-256mb-3nm-mbcfet-chip/
https://kknews.cc/tech/bl2jek j.html

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