矽極限的下一步？台積電技術再突破！二硫化鉬MoS₂攻克關鍵瓶頸，下一代晶片技術來了？ ※曲博官方Line群正式開張，歡迎大家加入，一起從討論中成長！ 加入連結 👉 https://ansforce.page.link/Drjline3 ※曲博頻道會員已開啟，想要加入的伙伴可以直接點選這個連結，一起讓科技成長茁壯！👉 https://ansforce.page.link/JoinYT ※曲博科技教室所有的影片可以在這裡直接用關鍵字搜尋👉 https://ansforce.page.link/Drjlist 訂閱我的Youtube頻道 ：https://goo.gl/zX7p6N 按讚粉絲專頁，掌握最新趨勢：https://goo.gl/8zfgi5 🏮【科技新未來 EP141】台積電次世代技術再突破：磊晶介面工程實現高跨導二硫化鉬(MoS2)頂部閘極電晶體🏮 00:00 開場 | Introduction 05:18 高跨導（gm）對場效電晶體的重要性 07:27 磊晶介面工程如何解決二維場效電晶體的問題？ 09:17 磊晶衍生氧化鋁與氧化鉿／氧化鋁堆疊結構的介電特性 13:46 基於化學氣相沉積（CVD）成長單層二硫化鉬（MoS2）的雙閘極場效電晶體 16:57 短通道頂部閘極場效電晶體與高介電常數閘極堆疊結構的性能比較 20:11 磊晶衍生氧化鋁（Al2O3）介面層的主要作用是改善二維材料介面 22:01 結論 | Conclusion 【知識力專家社群】 https://www.ansforce.com 歡迎加入知識力官方Line https://bit.ly/ansforceline 【免責聲明】本頻道內容僅供參考，雖已力求正確完整，但可能因時間及市場客觀因素改變所造成產業、市場、個股之相關條件改變，投資人需自行考量投資之實際狀況與風險承受度，並就投資結果自行負責，本公司不負擔任何法律責任及做任何保證。 #台積電 #TSMC #半導體 #晶片 #電晶體 #MoS2 #二硫化鉬 #二維材料 #2DMaterials #場效電晶體 #FET #先進製程 #磊晶技術 #Epitaxy #HighK #半導體技術 #晶片技術 #tsm 曲博科技教室 Dr. J Class 更多视频／文章……
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