比GAA更關鍵?台積電2奈米真正王牌!晶背供電BSPDN決定下一代晶片勝負? ※曲博官方Line群正式開張,歡迎大家加入,一起從討論中成長! 加入連結 👉 https://ansforce.page.link/Drjline3 ※曲博頻道會員已開啟,想要加入的伙伴可以直接點選這個連結,一起讓科技成長茁壯!👉 https://ansforce.page.link/JoinYT ※曲博科技教室所有的影片可以在這裡直接用關鍵字搜尋👉 https://ansforce.page.link/Drjlist 訂閱我的Youtube頻道 :https://goo.gl/zX7p6N 按讚粉絲專頁,掌握最新趨勢:https://goo.gl/8zfgi5 🏮【科技新未來 EP142】台積電持續領先的關鍵技術:晶背供電網路(BSPDN)技術深入探討🏮 00:00 開場 | Introduction 01:59 台積電(TSMC)贏得鰭式場效電晶體(FinFET)戰役 04:45 晶背供電網路(BSPDN)的基礎知識 11:13 BSPDN為電源供應帶來雙重提升 13:36 埋入式供電軌道(BPR):在前段製程中導入金屬材料 16:12 電源金屬柱(PowerVia):在前段製程中完全省去電源軌道的沉積步驟 20:22 直接背面接點(DBC)具備最大的微縮效益 產品路線圖:Rapidus、三星、英特爾、台積電 25:49 結論 | Conclusion 【知識力專家社群】 https://www.ansforce.com 歡迎加入知識力官方Line https://bit.ly/ansforceline 【資料來源】 Dylan Patel and Jeff Koch發表在Semianalysis 晶圓代工大對決:環繞閘極場效電晶體(GAAFET)與晶背供電網路(BSPDN)技術在2奈米晶圓廠成本、靜態隨機存取記憶體(SRAM)縮放、晶圓廠製程設備影響、與背面供電細節方面 ——聚焦台積電、三星、英特爾、Rapidus Clash of the Foundries: Gate All Around + Backside Power at 2nm Fab Cost, SRAM Scaling, WFE Implications, Backside Power Details, TSMC, Samsung, Intel, Rapidus https://semianalysis.com/2024/10/01/clash-of-the-foundries/ 【免責聲明】本頻道內容僅供參考,雖已力求正確完整,但可能因時間及市場客觀因素改變所造成產業、市場、個股之相關條件改變,投資人需自行考量投資之實際狀況與風險承受度,並就投資結果自行負責,本公司不負擔任何法律責任及做任何保證。 #台積電 #TSMC #2奈米 #晶背供電 #BSPDN #GAA #FinFET #PowerVia #半導體 #晶圓代工 #先進製程 #晶片技術 #英特爾 #Intel #三星 #Samsung #Rapidus 曲博科技教室 Dr. J Class 更多视频/文章……
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