再度叫陣台積電，三星GAA即將超車！？GAA製程到底難在哪？3奈米的下一步，1、2奈米搶先揭露！

2021-9-4 04:45| 发布者: admin8| 查看: 16| 评论: 0|文章／视频分享来自: 曲博科技教室 Dr. J Class

再度叫陣台積電，三星GAA即將超車！？GAA製程到底難在哪？3奈米的下一步，1、2奈米搶先揭露！

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🏮【科技大哉問EP47】超車或翻車？三星憑什麼再度叫陣台積電？GAA到底難在那裡？3/2/1奈米怎麼走？🏮

最近三星的副會長李在鎔假釋出獄，三星大動作宣布3年投資240兆韓元(約2,056億美元)，不僅如此，叫陣台積電的戲碼再度演出，三星要在2022年量產3奈米GAA，但你知道GAA製程有多難嗎？來！曲博說給你聽！順勢加碼揭密1,2奈米製程！

00:00 開場大綱 | Intro, Summary
01:56 電晶體的種類與特性 | MOSFET、FinFET、GAAFET
07:29 電晶體的短通道效應 | Transistor Short channel effect
10:00 材料的結晶與製程：單晶、多晶、非晶 | Single crystal, Poly crystal, Amorphous
11:22 互補型金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOS) | Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
13:24 1奈米以後的選擇(CFET) | After 1nm. Complementary Field Effect Transistor
25:29 三星環繞閘極場效電晶體(GAAFET)的發展路徑 | Samsung Gate All Around FET
31:47 水平與垂直通道環繞閘極場效電晶體 | Horizontal and Vertical channel GAAFET
33:22 結論 | Conclusion

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【參考資料】
https://vitomag.com/tech/rkdmc.html
https://swospam0418.pixnet.net/blog/post/463212365
https://kknews.cc/digital/65zbl5m.html

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